8月20日，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山，副秘書長楊蘭芳、高偉博士一行蒞臨博電科技參觀交流，博電科技董事長陳衛(wèi)率技術(shù)委員會杜科博士等研發(fā)骨干熱情迎接。雙方就半導體檢測領域的相關合作事宜進行了深入交流和探討。

深入座談

在會議中心，博電科技董事長陳衛(wèi)向于坤山秘書長一行詳細介紹了博電科技的發(fā)展現(xiàn)狀以及半導體檢測、電動汽車及充電設施檢測領域的技術(shù)突破。

陳總談到，博電科技功率半導體檢測設備目前已覆蓋半導體靜態(tài)、動態(tài)、絕緣局放、功率循環(huán)等半導體多方面特性試驗檢測需求。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)是國家重點發(fā)展的方向。第三代半導體材料特性對檢測設備提出了很多新的需求，包括功率循環(huán)、閾值電壓檢測、動態(tài)電阻測量等領域，面對巨大發(fā)展機遇，博電科技將加大在半導體檢測技術(shù)攻關和產(chǎn)品研制的投入，逐步豐富產(chǎn)品系列，并重點關注SiC在電動汽車產(chǎn)業(yè)的應用、基于GaN的電子設備快充等應用，促進第三代半導體技術(shù)發(fā)展。

▲陳總介紹博電科技在半導體檢測領域的技術(shù)優(yōu)勢

于坤山秘書長對博電科技在功率半導體檢測領域的技術(shù)研發(fā)能力表示稱贊。他表示，希望雙方深化戰(zhàn)略合作，共同為第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻智慧和力量。

▲于坤山秘書長對博電科技技術(shù)研發(fā)能力表示稱贊

楊蘭芳副秘書長表示，聯(lián)盟致力于推動我國第三代半導體材料及器件研發(fā)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。聯(lián)盟期待與博電科技這樣在半導體檢測領域有著原始技術(shù)積累、有前瞻性技術(shù)突破的企業(yè)開展廣泛的技術(shù)合作。

▲楊蘭芳副秘書長對未來雙方合作表示期待

隨后，高偉副秘書長介紹了聯(lián)盟標準分委會編制完成及正在擬定的國內(nèi)、國際標準情況，并進一步介紹了聯(lián)盟下設二級委員會負責支撐國家半導體相關方向的發(fā)展規(guī)劃情況。

▲高偉副秘書長介紹標準制定情況

最后，雙方就未來資源統(tǒng)籌、優(yōu)勢互補，開展進一步技術(shù)交流合作、推進標準制定、組建公共服務平臺等方面開展深入探討。

參觀考察

在參觀展示環(huán)節(jié)，于秘書長一行仔細查看了博電科技面向半導體檢測、電動汽車及充電設施檢測、智能電網(wǎng)檢測等領域的優(yōu)秀產(chǎn)品。

▲參觀PST6747A功率半導體測試系統(tǒng)

▲了解博電公司半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況

▲參觀手持式電動汽車檢測儀

▲參觀模塊化智能繼電保護測試儀

在IGBT檢測設備展示區(qū)，杜科博士向于秘書長一行展示了博電科技在IGBT測試方面取得的突破成果。經(jīng)現(xiàn)場講解，于秘書長一行更深入的了解了博電科技的技術(shù)實力。

▲參觀博電功率半導體檢測設備

優(yōu)勢所在

在功率半導體測試領域，經(jīng)過多年的研究努力，博電科技自主研發(fā)功率半導體檢測設備。測試對象包括IGBT單芯片與IGBT模塊測試，測試內(nèi)容涵蓋靜態(tài)特性檢測、動態(tài)特性檢測、功率循環(huán)檢測、高壓局放檢測、功率分析檢測等方面，測試最高電壓5kV、測試電流最大5000A，可滿足市場上全部型號IGBT的測試，可廣泛應用于功率半導體的研發(fā)、生產(chǎn)、應用的各個環(huán)節(jié)。

博電科技推出的PST6747A功率半導體測試系統(tǒng)具有快脈沖、精度分辨f##電流檢測、寬電壓/電流測量能力的半導體測試系統(tǒng)，在功率半導體高端分析儀器裝備方向有力替代進口同類產(chǎn)品。

PST6747A解決了基于國產(chǎn)檢測設備實現(xiàn)功率器件（IGBT）和新型材料（GaN、SiC）等功率半導體器件的靜態(tài)全參數(shù)測試難題。PST6747A功率半導體測試平臺的研發(fā)成功，標志著博電科技在功率半導體測試設備技術(shù)領域里卓越的技術(shù)優(yōu)勢和核心競爭力。

▲PST6747A功率半導體測試平臺

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

2015年9月9日，在國家科技部、工信部、北京市科委的支持下，由第三代半導體相關的科研機構(gòu)、大專院校、企業(yè)自愿發(fā)起籌建的“第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟”在北京國際會議中心宣告成立。

第三代半導體材料是近年來迅速發(fā)展起來的以GaN、SiC為代表的新型半導體材料，具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高及抗輻射能力強的等優(yōu)點，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景，可望成為支撐信息、能源、交通、國防等重點產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點新材料，正在成為全球半導體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。

第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的成立，對推動我國第三代半導體材料及器件研發(fā)和相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。聯(lián)盟將發(fā)起的目的主要是圍繞產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)建創(chuàng)新鏈，促進產(chǎn)學研合作以及跨界應用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設，培育形成一批擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場競爭力強的骨干企業(yè)群，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，抓住換道超車的歷史性機遇，形成全國一盤棋的發(fā)展合力，實現(xiàn)創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展，搶占在國際第三代半導體上搶占產(chǎn)業(yè)發(fā)展制高點，重構(gòu)全球半導體產(chǎn)業(yè)格局。